三星2025Q4半导体存储营收创新高 DRAM重夺全球市占第一

1月12日消息，市场研究机构Counterpoint于本月8日发布分析报告，结合三星电子公布的2025年第四季度初步业绩数据显示，三星半导体存储业务在该季度表现亮眼，合计实现营业收入37.4万亿韩元（按现行汇率折算，约合1798.94亿元人民币），不仅创下历史新高，环比增幅更达34%，占三星当季总销售额的比例攀升至40%，成为公司业绩增长的核心引擎。

从业务结构来看，DRAM内存与NAND闪存两大板块均实现稳健增长。其中，DRAM内存业务表现尤为突出，单季度营收达27.7万亿韩元，占据存储业务总营收的74%以上；NAND闪存业务营收为9.7万亿韩元，形成有效补充。这一业绩表现标志着三星在经历2025年第一至三季度的市场颓势后，成功实现业务反弹，更凭借强劲的出货表现，重新夺回按出货额计算的DRAM内存全球市场份额第一宝座。

Counterpoint数据进一步显示，三星2025Q4 DRAM全球市占率攀升至34.8%，较上一季度提升1.1个百分点，终结了SK海力士自2025年第二季度以来的领跑态势，实现关键市场地位逆转。而在细分领域，三星凭借10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的量产优势，快速响应服务器DRAM需求缺口，该产品月产能已扩大至20万片晶圆，占其DRAM总产量的三分之一。

此次三星存储业务的强势反弹，核心驱动力源于全球AI算力需求的爆发式增长。2025年第四季度，生成式AI普及推动数据中心对高带宽内存（HBM）和通用DRAM的需求激增，带动存储芯片价格进入上涨周期。据行业统计，当季服务器DRAM价格环比上涨超60%，传统DRAM合约价涨幅达55%-60%，NAND闪存价格涨幅亦超33%，为三星营收增长提供了有力支撑。

与此同时，三星在HBM领域的技术追赶成效显著，2025年11月已向英伟达交付HBM4样品进行资格测试，计划于2026年上半年启动量产，有望进一步抢占高端AI内存市场份额。尽管SK海力士在HBM既有合约上仍具优势，但三星凭借1c制程和基础裸晶的先进设计，实现了数据传输速度领先，为其DRAM市占率回升奠定了技术基础。

三星的业绩逆袭与市占率反转，标志着全球存储芯片市场进入新一轮洗牌阶段。面对持续紧张的市场供需关系，三星与SK海力士均计划在2026年第一季度进一步上调服务器DRAM价格，涨幅预计达60%-70%，PC和智能手机用DRAM涨幅相近，彰显对需求持续走强的预判。

产能布局方面，三星已宣布投入450万亿韩元（约合2.2万亿元人民币）扩建平泽工厂第五条先进存储产线，目标2028年投产以应对长期需求。花旗银行预测，受益于存储业务的持续强势，三星2026年营业利润将达155万亿韩元（约合1070亿美元），较2025年增长253%，行业领先优势有望进一步扩大。