三星瞄准未来3D NAND技术的PB级固态硬盘

【锚思科技讯】在今年的中国闪存市场峰会（CFMS023）上，三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名闪存公司一起出席了会议。三星电子与观众讨论了“闪存的再进化和迈向新时代”的话题。这次讨论突出了该公司的高水平存储容量能力，以及其3D NAND闪存在达到如此高容量方面的困难。

三星电子NAND产品规划组副总裁/总经理Kyungryun Kim解释说，三个级别的技术——物理扩展、逻辑扩展和封装技术——不仅在发展，而且理论上能够达到1 PB或1024 TB的容量。然而，按照目前的技术标准，该公司在未来十年内都无法实现这一目标。此外，该公司正寻求将四级单元技术用于更多的存储设备，并专注于使该技术更加熟练。

在讨论达到五级容量的进化途径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe 5.0固态硬盘（SSD）。新的PM1743系列比以前的型号能效高出40%，并已测试与英特尔和AMD PCIe Gen 5平台兼容。

三星正在继续寻找方法，以更广泛的采用率将四级单元3D NAND设备推向公众。三星认为，专注于更新的控制器技术将达到这些目标。目前，该公司对3D NAND设备进行物理扩展。然而，该公司需要研究逻辑扩展，以使存储器设备访问超过1000层。逻辑缩放将允许增加存储在每个单元内的信息比特数。

虽然该公司一直对其技术保持沉默，但竞争对手Kioxia对其发展更加透明。该公司于2019年推出了五级单元3D NAND存储器，每个单元最多可存储5位（5 bpc）。两年后，Kioxia突破了5bpc的技术，达到了6bpc。该公司表示，他们也在研究是否可以提高到8bpc，创造一种八级单元3D NAND存储设备。目前，该公司尚未达到这样的长度。

对于许多3D NAND制造商来说，每个单元存储多个比特带来了许多挑战。识别能够存储各种电压状态的材料，同时能够区分它们以防止干扰，这是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外，随着每个单元的比特数的增加，他们需要开发纠错技术来保持数据的完整性。