三星电子将于本月底启动全球首款HBM4量产 下周起向英伟达交付

2月8日消息，据韩国《中央日报》援引多名行业人士透露，三星电子将于本月底正式启动全球首款第六代高带宽内存（HBM4）的量产，此举标志着高端存储领域正式迈入HBM4时代，也意味着三星在该领域的技术竞争力迎来显著回升。

消息显示，三星电子的HBM4量产筹备工作已基本就绪，最快将于下周向英伟达交付首批HBM4芯片。该批芯片主要应用于英伟达的GPU产品，将作为生成式AI系统的核心算力来源，为AI模型训练、推理等高强度计算场景提供支撑，助力英伟达新一代AI硬件性能升级。

一位不具名业内人士表示，三星能够率先实现HBM4量产，核心得益于其全球最大的产能规模和最完整的产品布局。据悉，三星HBM4采用先进的1c DRAM工艺技术，相较于竞品采用的1b DRAM工艺更具竞争优势，目前其1c DRAM良率已接近60%，超过盈亏平衡点，为大规模量产奠定了坚实基础，这也标志着三星在高端存储领域的技术竞争力正在逐步回升。

当前，全球高带宽内存市场仍由第五代产品HBM3E主导，但行业内普遍认为，HBM4将成为下一阶段AI存储领域的关键核心技术。作为全球AI硬件领域的领军企业，英伟达已明确计划在其下一代AI加速器Vera Rubin中全面采用HBM4，该平台核心的Rubin GPU推理性能达到上一代Blackwell平台的5倍，而HBM4 22TB/s的带宽的将为其性能释放提供关键支撑。

消息人士进一步指出，三星已顺利通过英伟达的严格质量认证，并成功拿下相关采购订单，目前HBM4的量产与出货节奏已与英伟达Vera Rubin的发布周期实现同步，确保新品硬件与AI加速器产品协同落地。在这份大额订单的推动下，三星近期向客户提供的HBM4样品数量已大幅提升，主要用于客户侧的模块验证与测试工作，为后续大规模出货做好准备。

值得关注的是，三星还计划进一步扩大HBM4产能，今年将基于10纳米工艺的第六代DRAM（用于HBM4）产量提升约170%，并计划在韩国京畿道平泽第四工厂安装新设备，明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆，全面加码HBM4布局以抢占市场先机。目前，三星、SK海力士、美光三大巨头均在加速推进HBM4布局，行业竞争日趋激烈，而三星的率先量产或将帮助其在高端AI存储市场中抢占先发优势，重塑市场格局。