三大DRAM厂商HBM4竞争白热化 三星率先量产，英伟达或放宽规格要求

2月13日消息，据韩媒ZDNet今日报道，全球三大DRAM厂商三星电子、SK海力士、美光之间围绕HBM4（第四代高带宽内存）的市场竞争正日益激化，其中三星电子于昨日（2月12日）率先启动HBM4量产，抢在SK海力士和美光之前，率先迈出抢占高端存储芯片市场的关键一步，不过目前三家厂商的量产均属于“风险量产”阶段。

据悉，HBM4作为面向人工智能、高性能计算等领域的核心存储芯片，直接影响下游AI芯片的性能表现，而英伟达作为全球最大的HBM终端需求方，其订单分配与规格要求直接决定三大厂商的市场格局。业内消息显示，三星电子与SK海力士计划本月向英伟达提供HBM4“风险量产”产品，其中三星早在去年9月就已启动HBM4量产体系搭建，且在上个月的财报电话会议中宣称，自身是“业界唯一能同时稳定供应HBM3E和HBM4的企业”。

美光则在2月11日（前天）的投资者会议上，明确驳斥了“被英伟达踢出HBM4供应链”的市场传闻，并同步宣布已启动HBM4的量产与出货工作，较原计划提前约一个季度，以此回应市场质疑，争夺英伟达订单份额。不过有业内机构指出，美光HBM4工程样品的引脚速率仍低于英伟达目标规格，其实际竞争力仍存疑。

需要注意的是，目前三大厂商所提及的“量产”，本质上均为“风险量产”。这种生产模式是指在客户正式确认、下达采购订单（PO）之前，厂商提前投入晶圆生产，以此缩短后续交付时间。由于HBM芯片从核心Die到最终出货大约需要4个月时间，若等待英伟达正式下单再启动生产，将直接影响其新一代“Rubin”人工智能芯片平台的上市节奏，这也是三大厂商提前启动风险量产的核心原因。

业内高层人士透露，英伟达官方将在今年一季度末完成HBM4产品质量测试，之后才会正式下达采购订单，因此现阶段三家厂商的出货均处于风险量产阶段，尚未进入正式规模化供货环节。同时，三星电子与SK海力士的HBM4出货量，最快也要等到今年下半年才能实现大幅扩大。

从各家竞争力来看，三星目前在英伟达HBM4质量测试中进展相对顺利。其HBM4产品采用领先一代的1c DRAM工艺，搭配4nm制程打造Base Die，官方宣称产品运行速度可达11.7Gbps，较JEDEC制定的业界标准8Gbps领先46%，理论上最高能达到13Gbps。不过三星当前面临明显的产能与良率瓶颈，其1c DRAM目前的良率仅为60%，若计入后段制程，良率还将进一步下滑，且月产能仅为6-7万片，难以满足英伟达的庞大需求，不过三星已计划今年将1c DRAM产量提升约170%，以缓解产能压力。

SK海力士虽然手握英伟达HBM4供应60%的配额这一“王牌”，但初期产品可靠性测试表现不佳，被认为难以达到11Gbps的性能水准，尽管公司正在持续推进技术改进，但能否完全达到英伟达要求仍存在不确定性。值得一提的是，SK海力士此前已推出全球首款12层堆叠HBM4产品，在封装层面具备信号完整性优势。

综合当前行业现状，业界普遍预计，英伟达很可能会适当放宽HBM4的性能与良率要求，转而采购10.6Gbps等次高规格产品。此举既能降低三大厂商的量产难度，推动其提升产能，也能确保自身“Rubin”平台的供应链稳定，避免因规格要求过高导致供货不足，影响产品上市进度。

随着AI产业的持续升温，HBM4市场需求将持续攀升，此次三大DRAM厂商的激烈竞争，既是技术与产能的比拼，也将推动HBM4技术的快速成熟与成本优化。后续英伟达的质量测试结果、订单分配情况，以及三家厂商的产能良率提升进度，将成为影响全球HBM4市场格局的关键因素。