三星12层堆叠HBM4通过英伟达最终认证 2月投片5月规模化供货

1月26日消息，据韩媒Alpha Economy援引知情人士消息称，三星电子面向英伟达的12层堆叠HBM4高带宽内存已完成最终质量认证，正加速推进量产准备工作。这一进展使三星在全球三大存储芯片厂商中，HBM4认证进度领先于海力士和美光。

据悉，该款12层堆叠HBM4产品于2025年底进入英伟达最终认证阶段，目前认证流程已全部完成。三星电子DS部门已明确决策，将于2月起正式启动针对英伟达订单的12层堆叠HBM4晶圆投片，为后续量产奠定基础。HBM4作为AI加速器核心组件，是英伟达下一代AI芯片“Rubin”的标配内存，对支撑万亿参数模型训练至关重要。

不过，三星电子与英伟达双方均未公开确认此次认证结果。此前该媒体曾预测，认证结论将在1月20日后至2月初期间公布，当前进展略超市场预期。与此同时，行业竞争持续加剧，竞品海力士因调整HBM4产品设计，已重新提交英伟达认证申请，与三星的进度差距进一步拉大。

据了解三星内部情况的消息人士透露，得益于产品无需修改设计即可通过认证，量产推进将更为顺畅。从2月晶圆投片开始，预计需约3个月时间完成工艺优化与良率爬坡，具备商业供货条件的量产产品或将在5月中旬形成规模，并逐步扩大出货量。

针对此前“三星2月将向英伟达供应HBM4”的报道，业内人士澄清，这更可能指2025年12月产出的少量工程样品，并非全面量产启动。真正的规模化供货仍需等待5月工艺成熟后，三星计划到2026年底将HBM月产能提升至25万片，增幅近50%以支撑订单需求。

在巩固12层堆叠HBM4优势的同时，三星电子正顺势推进更高规格产品研发，加快16层堆叠HBM4的技术攻关。不过，更高阶产品的量产时间仍需结合客户验证进度与市场需求变化进一步明确，目前HBM4E研发已进入基础芯片后端设计阶段，量产目标锁定2027年。

此次认证突破对三星意义重大。此前海力士凭借先发优势占据英伟达HBM3/HBM3E主要份额，三星因验证延迟被边缘化，而此次HBM4认证领先有望助其重夺高端AI内存市场话语权。随着AI芯片需求持续激增，HBM成为存储行业核心增长点，头部厂商的技术竞赛将进一步白热化。

目前，市场正密切关注三星与英伟达的官方表态，以及后续量产良率爬坡情况。集邦咨询此前预测，海力士在HBM4量产初期仍将维持最大供应商地位，但三星的快速突破有望改变市场格局，为AI产业链上游供应链带来新的变量。

业内普遍认为，三星HBM4的规模化供货将为英伟达下一代AI芯片量产提供支撑，进一步推动AI大模型训练与推理效率提升，同时也将加剧全球HBM市场的竞争，促使厂商加速技术迭代与产能扩张。