台积电公布1nm及以下先进制程规划 多厂区同步推进布局

4月17日消息，据中国台湾地区媒体《电子时报》当日报道，台积电近期召开2026年第一季度财报法人说明会，详细介绍了其1nm及以下先进制程工艺的整体规划，明确了台南、新竹宝山及美国亚利桑那多个晶圆厂的制程定位与推进进度，持续巩固在全球先进半导体制造领域的领先地位。

在1nm及以下先进制程布局上，台积电正于台南科学园区规划A10晶圆厂，其中P1-P4厂区将专门用于1nm及以下先进制程的研发与生产，计划从2029年起启动试产，初期月产能预计可达5000片晶圆，为后续先进制程的规模化应用奠定基础。

与此同时，台积电在新竹宝山的晶圆厂布局也同步推进。其中，P1-P2工厂将重点发展2nm制程，P3工厂则以2nm及A14制程为主，该厂区预计于今年年中完成建设，目前台积电“One Team”团队已逐步进驻，开展前期筹备工作，而P4工厂的具体规划仍在推进中。

海外产能布局方面，美国亚利桑那F21晶圆厂的规划同样清晰。其中，P1工厂将应用4nm制程，月产能约为2-2.5万片晶圆；P2工厂定位3nm制程，计划于今年第三季度引入相关生产设备；P3-P5工厂则分别规划了2nm、A16（1.6纳米）、A14（1.4纳米）工艺，且近期已正式动工建设，进一步完善台积电的全球先进制程产能布局。

作为全球半导体代工龙头，台积电此次公布的先进制程规划，不仅明确了1nm及以下制程的发展时间表，也通过多厂区、多制程的协同布局，兼顾研发与量产需求，以应对全球半导体产业对先进制程日益增长的需求，持续强化其市场竞争力。